KSR1005 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

KSR1005 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KSR1005
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для KSR1005

 

KSR1005 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  samsung
 ksr1005.pdf pdf_icon

KSR1005

KSR1005 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7 , R2=10 ) Complement to KSR2005 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter-Base V

 8.1. Size:42K  samsung
 ksr1008.pdf pdf_icon

KSR1005

KSR1008 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=47 , R2=22 ) Complement to KSR2008 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter-Base Vo

 8.2. Size:43K  samsung
 ksr1007.pdf pdf_icon

KSR1005

KSR1007 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=22 , R2=47 ) Complement to KSR2007 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter-Base Vo

 8.3. Size:42K  samsung
 ksr1006.pdf pdf_icon

KSR1005

KSR1006 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=10 , R2=47 ) Complement to KSR2006 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter-Base Vo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... KSP8598 , KSP8599 , KSP92 , KSP93 , KSR1001 , KSR1002 , KSR1003 , KSR1004 , 13009 , KSR1006 , KSR1007 , KSR1008 , KSR1009 , KSR1010 , KSR1011 , KSR1012 , KSR1101 .

 

 
Back to Top

 


 
.