Биполярный транзистор KSR1006 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: KSR1006
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
Корпус транзистора: TO92
Аналог (замена) для KSR1006
KSR1006 Datasheet (PDF)
ksr1006.pdf
KSR1006 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=10 , R2=47 ) Complement to KSR2006ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter-Base Vo
ksr1008.pdf
KSR1008 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=47 , R2=22 ) Complement to KSR2008ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter-Base Vo
ksr1007.pdf
KSR1007 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=22 , R2=47 ) Complement to KSR2007ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter-Base Vo
ksr1009.pdf
KSR1009 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=4.7 ) Complement to KSR2009ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 40 VCollector-Emitter Voltage VCEO 40 VEmitter-Base Voltage VE
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement