KSR1006 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KSR1006
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для KSR1006
KSR1006 - технические параметры
ksr1006.pdf
KSR1006 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=10 , R2=47 ) Complement to KSR2006 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter-Base Vo
ksr1008.pdf
KSR1008 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=47 , R2=22 ) Complement to KSR2008 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter-Base Vo
ksr1007.pdf
KSR1007 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=22 , R2=47 ) Complement to KSR2007 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter-Base Vo
ksr1009.pdf
KSR1009 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=4.7 ) Complement to KSR2009 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 40 V Collector-Emitter Voltage VCEO 40 V Emitter-Base Voltage VE
Другие транзисторы... KSP8599 , KSP92 , KSP93 , KSR1001 , KSR1002 , KSR1003 , KSR1004 , KSR1005 , 2N3906 , KSR1007 , KSR1008 , KSR1009 , KSR1010 , KSR1011 , KSR1012 , KSR1101 , KSR1102 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement