KSR1110 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги KSR1110. Основные параметры


   Наименование производителя: KSR1110
   Маркировка: R10
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для KSR1110

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSR1110 даташит

 ..1. Size:36K  fairchild semi
 ksr1110.pdf pdf_icon

KSR1110

KSR1110 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K ) Complement to KSR2110 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R10 R B NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter V

 8.1. Size:46K  fairchild semi
 ksr1114.pdf pdf_icon

KSR1110

KSR1114 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1 =4.7K , R2=47K ) Complement to KSR2114 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R1 R14 B R2 NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted

 8.2. Size:43K  fairchild semi
 ksr1111.pdf pdf_icon

KSR1110

KSR1111 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R=22K ) Complement to KSR2111 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R11 R B NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter

 8.3. Size:44K  fairchild semi
 ksr1113.pdf pdf_icon

KSR1110

KSR1113 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1 =2.2K , R2=47K ) Complement to KSR2113 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R1 R13 B R2 NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... KSR1101 , KSR1102 , KSR1104 , KSR1105 , KSR1106 , KSR1107 , KSR1108 , KSR1109 , BD335 , KSR1111 , KSR1112 , KSR1113 , KSR1114 , KSR2001 , KSR2002 , KSR2003 , KSR2004 .

 

 
Back to Top

 


 
.