Справочник транзисторов. KSR2003

 

Биполярный транзистор KSR2003 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSR2003
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для KSR2003

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSR2003 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  samsung
ksr2003.pdfpdf_icon

KSR2003

KSR2003 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver CircuitTO-92 Built in bias Resistor (R1=22 , R2=22 ) Complement to KSR1003ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollector-Emitter Voltage VCEO -50 VEmitter-Base

 8.1. Size:34K  fairchild semi
ksr2005.pdfpdf_icon

KSR2003

KSR2005Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=10K) Complement to KSR1005TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseEquivalent CircuitCR1BR2PNP Epitaxial Silicon Transistor EAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Va

 8.2. Size:42K  samsung
ksr2008.pdfpdf_icon

KSR2003

KSR2008 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=47 , R2=22 ) Complement to KSR1008ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollector-Emitter Voltage VCEO -50 VEmitter-Base

 8.3. Size:42K  samsung
ksr2004.pdfpdf_icon

KSR2003

KSR2004 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit TO-92 Built in bias Resistor (R1=47 , R2=47 ) Complement to KSR1004ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollector-Emitter Voltage VCEO -50 VEmitter-Base V

Другие транзисторы... KSR1109 , KSR1110 , KSR1111 , KSR1112 , KSR1113 , KSR1114 , KSR2001 , KSR2002 , TIP31 , KSR2004 , KSR2005 , KSR2006 , KSR2007 , KSR2008 , KSR2009 , KSR2010 , KSR2011 .

 

 
Back to Top

 


 
.