Справочник транзисторов. KSR2011

 

Биполярный транзистор KSR2011 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSR2011
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для KSR2011

 

 

KSR2011 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:20K  samsung
ksr2011.pdf

KSR2011

KSR2011 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22 ) Complement to KSR1011ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -40 VCollector-Emitter Voltage VCEO -40 VEmitter-Base Voltage V

 8.1. Size:20K  samsung
ksr2012.pdf

KSR2011

KSR2012 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47 ) Complement to KSR1012ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -40 VCollector-Emitter Voltage VCEO -40 VEmitter-Base Voltage V

 8.2. Size:41K  samsung
ksr2010.pdf

KSR2011
KSR2011

KSR2010 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10 ) Complement to KSR1010ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -40 VCollector-Emitter Voltage VCEO -40 VEmitter-Base Voltage V

 8.3. Size:22K  samsung
ksr2013.pdf

KSR2011

KSR2013 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2 , R2=47 ) Complement to KSR1013ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollector-Emitter Voltage VCEO -50 VEmitter-Base

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top