KSR2011F - описание и поиск аналогов

 

KSR2011F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KSR2011F

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для KSR2011F

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSR2011F даташит

 7.1. Size:20K  samsung
 ksr2011.pdf pdf_icon

KSR2011F

KSR2011 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22 ) Complement to KSR1011 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -40 V Emitter-Base Voltage V

 8.1. Size:20K  samsung
 ksr2012.pdf pdf_icon

KSR2011F

KSR2012 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47 ) Complement to KSR1012 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -40 V Emitter-Base Voltage V

 8.2. Size:41K  samsung
 ksr2010.pdf pdf_icon

KSR2011F

KSR2010 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10 ) Complement to KSR1010 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -40 V Emitter-Base Voltage V

 8.3. Size:22K  samsung
 ksr2013.pdf pdf_icon

KSR2011F

KSR2013 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2 , R2=47 ) Complement to KSR1013 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter-Base

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... KSR2004 , KSR2005 , KSR2006 , KSR2007 , KSR2008 , KSR2009 , KSR2010 , KSR2011 , 9014 , KSR2012 , KSR2012F , KSR2101 , KSR2102 , KSR2103 , KSR2104 , KSR2105 , KSR2106 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.