Справочник транзисторов. KSR2101

 

Биполярный транзистор KSR2101 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSR2101
   Маркировка: R51
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для KSR2101

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSR2101 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  fairchild semi
 ksr2101.pdf pdf_icon

KSR2101

KSR2101Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R1 =4.7K, R2=4.7K) Complement to KSR11012SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitCMarkingR1BR51R2PNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted

 8.1. Size:53K  fairchild semi
 ksr2107.pdf pdf_icon

KSR2101

KSR2107Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R1=22K, R2=47K) Complement to KSR11072SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitCMarkingR1BR57R2PNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted

 8.2. Size:52K  fairchild semi
 ksr2104.pdf pdf_icon

KSR2101

KSR2104Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R1=47K, R2=47K) Complement to KSR11042SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitCMarkingR1BR54R2PNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted

 8.3. Size:53K  fairchild semi
 ksr2103.pdf pdf_icon

KSR2101

KSR2103Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R1=22K, R2=22K) Complement to KSR11032SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitCMarkingR1BR53R2PNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... KSR2007 , KSR2008 , KSR2009 , KSR2010 , KSR2011 , KSR2011F , KSR2012 , KSR2012F , 2SC2655 , KSR2102 , KSR2103 , KSR2104 , KSR2105 , KSR2106 , KSR2107 , KSR2108 , KSR2109 .

History: BSX33 | FT34A | BSX62

 

 
Back to Top

 


 
.