KSR2109. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KSR2109
Маркировка: R59
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для KSR2109
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KSR2109 даташит
ksr2109.pdf
KSR2109 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R=4.7K ) Complement to KSR1109 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit C Marking R R59 B PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter
ksr2101.pdf
KSR2101 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1 =4.7K , R2=4.7K ) Complement to KSR1101 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit C Marking R1 B R51 R2 PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted
ksr2107.pdf
KSR2107 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1=22K , R2=47K ) Complement to KSR1107 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit C Marking R1 B R57 R2 PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted
ksr2104.pdf
KSR2104 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1=47K , R2=47K ) Complement to KSR1104 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit C Marking R1 B R54 R2 PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted
Другие транзисторы: KSR2101, KSR2102, KSR2103, KSR2104, KSR2105, KSR2106, KSR2107, KSR2108, 2N4401, KSR2110, KSR2111, KSR2112, KSR2113, KSR2114, KST05, KST06, KST10
History: DTD743XE
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor









