KST4126. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KST4126
Маркировка: C3
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120
Корпус транзистора: TO236
Аналоги (замена) для KST4126
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KST4126 даташит
kst4126.pdf
KST4126 General Purpose Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -25 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-Base Voltage -4 V IC Collector Current -200 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Storage
kst4123.pdf
KST4123 General Purpose Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 200 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Storage Temp
kst4124.pdf
KST4124 General Purpose Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 200 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Storage Temp
kst4125.pdf
KST4125 General Purpose Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -30 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -4 V IC Collector Current -200 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Storage
Другие транзисторы: KST24, KST2484, KST2907, KST2907A, KST3903, KST3904, KST4123, KST4124, BD222, KST42, KST43, KST4401, KST4403, KST5086, KST5087, KST5088, KST5089
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840




