Справочник транзисторов. KST5089

 

Биполярный транзистор KST5089 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KST5089
   Маркировка: 1R
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1200
   Корпус транзистора: TO236
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

KST5089 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:56K  fairchild semi
kst5088.pdfpdf_icon

KST5089

KST5088/50893Low Noise Transistor2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage: KST5088 35 V: KST5089 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage: KST5088 30 V: KST5089 25 VVEBO Emitter-Base Voltage 4.5 VIC Collector Current 50 mAPC

 8.2. Size:57K  fairchild semi
kst5086 kst5087.pdfpdf_icon

KST5089

KST5086/5087Low Noise Transistor32SOT-231PNP Epitaxial Silicon Transistor1. Base 2. Emitter 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -50 VVCEO Collector-Emitter Voltage -50 VVEBO Emitter-Base Voltage -3 VIC Collector Current -50 mAPC Collector Power Dissipation 350 mWTSTG Storage Te

 8.3. Size:56K  samsung
kst5088.pdfpdf_icon

KST5089

KST5088/5089 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORLOW NOISE TRANSISTORSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating Unit Cllector-Base Voltage VCBO:KST5088 35 V:KST5089 30 V Collector-Emitter Voltage VCEO :KST5088 30 V:KST5089 25 V Emitter-Base Voltage VEBO 4.5 V Collector Current IC 50 mA Collector Dissipation PC 350 mW Storage Temperature TSTG

 8.4. Size:51K  samsung
kst5086.pdfpdf_icon

KST5089

KST5086/5087 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORLOW NOISE TRANSISTORSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCllector-Base Voltage VCBO -50 VCollector-Emitter Voltage VCEO -50 VEmitter-Base Voltage VEBO -3 VCollector Current IC -50 mACollector Dissipation PC 350 mWStorage Temperature TSTG 150 1. Base 2. Emitter 3. CollectorELECTRICAL CHARA

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: ZTX107BL | S9015-H | ZX5T953G | EML17 | KTC4511 | BF206 | 2SC4009

 

 
Back to Top

 


 
.