Биполярный транзистор KST55
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KST55
Маркировка: 2H
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора:
TO236
Аналоги (замена) для KST55
KST55
Datasheet (PDF)
..1. Size:44K fairchild semi
kst55 kst56.pdf KST55/56Driver Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO = KST55: - 60V3KST56: - 80V Collector Power Dissipation: PC (max) = 350mW Complement to KST05/06 2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector Base Voltage : KST55 -60 V: K
..2. Size:21K samsung
kst55.pdf KST55/56 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORDRIVER TRANSISTORSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector Base Voltage VCBO :KST55 -60 V :KST56 -80 VCollector-Emitter Voltage VCEO :KST55 -60 V :KST56 -80 VEmitter-Base Voltage VEBO -4 VCollector Current IC -500 mACollector Dissipation PC 350 mWStorage Temperature TSTG 150 Therma
0.1. Size:44K fairchild semi
kst5551.pdf KST5551Amplifier Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO=160V 3 Collector Power Dissipation: PC (max)=350mW2SOT-231Mark: G11. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 180 VVCEO Collector-Emitter Voltage 160 VVEBO Emitter-Base
0.2. Size:56K fairchild semi
kst5550.pdf KST5550High Voltage Transistor32SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 160 VVCEO Collector-Emitter Voltage 140 VVEBO Emitter-Base Voltage 6 VIC Collector Current 600 mAPC Collector Power Dissipation 350 mWTSTG Storage Tempe
Другие транзисторы... 2SA1803O
, 2SA1803R
, 2SA1804
, 2SA1804O
, 2SA1804R
, 2SA1805
, 2SA1805O
, 2SA1805R
, TIP42
, 2SA181
, 2SA1810
, 2SA1810B
, 2SA1810C
, 2SA1811
, 2SA1815
, 2SA1815-3
, 2SA1815-4
.