Справочник транзисторов. KST5550

 

Биполярный транзистор KST5550 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KST5550
   Маркировка: 1F
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для KST5550

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KST5550 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:56K  fairchild semi
 kst5550.pdf pdf_icon

KST5550

KST5550High Voltage Transistor32SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 160 VVCEO Collector-Emitter Voltage 140 VVEBO Emitter-Base Voltage 6 VIC Collector Current 600 mAPC Collector Power Dissipation 350 mWTSTG Storage Tempe

 8.1. Size:44K  fairchild semi
 kst5551.pdf pdf_icon

KST5550

KST5551Amplifier Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO=160V 3 Collector Power Dissipation: PC (max)=350mW2SOT-231Mark: G11. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 180 VVCEO Collector-Emitter Voltage 160 VVEBO Emitter-Base

 9.1. Size:44K  fairchild semi
 kst55 kst56.pdf pdf_icon

KST5550

KST55/56Driver Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO = KST55: - 60V3KST56: - 80V Collector Power Dissipation: PC (max) = 350mW Complement to KST05/06 2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector Base Voltage : KST55 -60 V: K

 9.2. Size:21K  samsung
 kst55.pdf pdf_icon

KST5550

KST55/56 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORDRIVER TRANSISTORSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector Base Voltage VCBO :KST55 -60 V :KST56 -80 VCollector-Emitter Voltage VCEO :KST55 -60 V :KST56 -80 VEmitter-Base Voltage VEBO -4 VCollector Current IC -500 mACollector Dissipation PC 350 mWStorage Temperature TSTG 150 Therma

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... KST4401 , KST4403 , KST5086 , KST5087 , KST5088 , KST5089 , KST5179 , KST55 , C5198 , KST56 , KST63 , KST64 , KST6428 , KST812M3 , KST812M4 , KST812M5 , KST812M6 .

History: BSS74CSM

 

 
Back to Top

 


 
.