KST5550. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KST5550
Маркировка: 1F
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для KST5550
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KST5550 даташит
kst5550.pdf
KST5550 High Voltage Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 160 V VCEO Collector-Emitter Voltage 140 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current 600 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Storage Tempe
kst5551.pdf
KST5551 Amplifier Transistor Collector-Emitter Voltage VCEO=160V 3 Collector Power Dissipation PC (max)=350mW 2 SOT-23 1 Mark G1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 180 V VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V VEBO Emitter-Base
kst55 kst56.pdf
KST55/56 Driver Transistor Collector-Emitter Voltage VCEO = KST55 - 60V 3 KST56 - 80V Collector Power Dissipation PC (max) = 350mW Complement to KST05/06 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector Base Voltage KST55 -60 V K
kst55.pdf
KST55/56 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DRIVER TRANSISTOR SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO KST55 -60 V KST56 -80 V Collector-Emitter Voltage VCEO KST55 -60 V KST56 -80 V Emitter-Base Voltage VEBO -4 V Collector Current IC -500 mA Collector Dissipation PC 350 mW Storage Temperature TSTG 150 Therma
Другие транзисторы: KST4401, KST4403, KST5086, KST5087, KST5088, KST5089, KST5179, KST55, 2N3055, KST56, KST63, KST64, KST6428, KST812M3, KST812M4, KST812M5, KST812M6
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet




