Справочник транзисторов. KST812M8

 

Биполярный транзистор KST812M8 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KST812M8
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400
   Корпус транзистора: TO236
 

 Аналог (замена) для KST812M8

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KST812M8 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:52K  samsung
kst812m3 7.pdfpdf_icon

KST812M8

KST812M7S/S TRCD-ROM(Edition.1.1) This Data Sheet is subject to change without notice. (C) 1994 Samsung ElectronicsPrinted in Korea.Page : 1 (KST812M7)

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: UN9217R | 2SC281A | 2SC3450

 

 
Back to Top

 


 
.