Справочник транзисторов. KT306DM

 

Биполярный транзистор KT306DM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KT306DM
   Маркировка: КТ306ДМ
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
 

 Аналог (замена) для KT306DM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT306DM Datasheet (PDF)

 9.1. Size:979K  russia
 kt306a-b-v-g-d 2t306a-b-v-g-d.pdf pdf_icon

KT306DM

Другие транзисторы... KT302B , KT302G , KT302V , KT306A , KT306AM , KT306B , KT306BM , KT306D , 13009 , KT306G , KT306GM , KT306V , KT306VM , KT3101A-2 , KT3101AM , KT3102A , KT3102AM .

 

 
Back to Top

 


 
.