2N4030 - описание и поиск аналогов

 

2N4030. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N4030

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 180 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2N4030

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N4030 даташит

 ..1. Size:203K  cdil
2n4030 1 2 3.pdfpdf_icon

2N4030

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS 2N4030, 2N4031 2N4032, 2N4033 TO-39 Metal Can Package 2N4030 And 2N4033 ARE PNP SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE AMLIFIER, TRANSISTORS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL 2N4030,32 2N4031, 33 UNITS VCEO Collector Emitter

 0.1. Size:143K  microelectronics
2n4030-33.pdfpdf_icon

2N4030

 9.1. Size:86K  motorola
2n4036-37 2n4036 2n4037.pdfpdf_icon

2N4030

 9.2. Size:52K  philips
2n4031 2n4033.pdfpdf_icon

2N4030

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D111 2N4031; 2N4033 PNP medium power transistors 1997 May 22 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP medium power transistors 2N4031; 2N4033 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max.

Другие транзисторы: 2N4023, 2N4024, 2N4025, 2N4026, 2N4027, 2N4028, 2N4029, 2N403, D880, 2N4031, 2N4032, 2N4033, 2N4033CSM4, 2N4034, 2N4035, 2N4036, 2N4037

 

 

 

 

↑ Back to Top
.