KT501D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KT501D

Маркировка: КТ501Д

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

 Аналоги (замена) для KT501D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT501D даташит

 9.1. Size:627K  russia
 kt501a-b-v-g-d-e-zh-i-k-l-m.pdf pdf_icon

KT501D

Другие транзисторы: KT391A-2, KT391B-2, KT391V-2, KT396A-9, KT399A, KT399AM, KT501A, KT501B, 2SB817, KT501E, KT501G, KT501I, KT501J, KT501K, KT501L, KT501M, KT501V