KT502D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KT502D

Маркировка: КТ502Д

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

 Аналоги (замена) для KT502D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT502D даташит

 9.1. Size:687K  russia
 kt502a-b-v-g-d-e.pdf pdf_icon

KT502D

Другие транзисторы: KT501I, KT501J, KT501K, KT501L, KT501M, KT501V, KT502A, KT502B, 2SD669A, KT502E, KT502G, KT502V, KT503A, KT503B, KT503D, KT503E, KT503G