Справочник транзисторов. KT502E

 

Биполярный транзистор KT502E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KT502E
   Маркировка: КТ502Е
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
 

 Аналог (замена) для KT502E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT502E Datasheet (PDF)

 9.1. Size:687K  russia
kt502a-b-v-g-d-e.pdfpdf_icon

KT502E

Другие транзисторы... KT501J , KT501K , KT501L , KT501M , KT501V , KT502A , KT502B , KT502D , 2SD669 , KT502G , KT502V , KT503A , KT503B , KT503D , KT503E , KT503G , KT503V .

 

 
Back to Top

 


 
.