KT639-I1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KT639-I1  📄📄 

Маркировка: КТ639-И1

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KT639-I1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT639-I1 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: KT639B1, KT639D, KT639D1, KT639E, KT639-E1, KT639G, KT639G1, KT639I, 2SD1047, KT639J, KT639J1, KT639V, KT639V1, KT640A-2, KT640B-2, KT640V-2, KT642A-2