KT639V1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KT639V1  📄📄 

Маркировка: КТ639В1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KT639V1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT639V1 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: KT639-E1, KT639G, KT639G1, KT639I, KT639-I1, KT639J, KT639J1, KT639V, A733, KT640A-2, KT640B-2, KT640V-2, KT642A-2, KT643A-2, KT644A, KT644B, KT644G