KT640V-2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KT640V-2  📄📄 

Маркировка: КТ640В-2

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.06 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3800 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KT640V-2

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT640V-2 даташит

 9.1. Size:1260K  russia
 kt640a-b-v.pdf pdf_icon

KT640V-2

Другие транзисторы: KT639I, KT639-I1, KT639J, KT639J1, KT639V, KT639V1, KT640A-2, KT640B-2, MJE340, KT642A-2, KT643A-2, KT644A, KT644B, KT644G, KT644V, KT645A, KT645B