KT659A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KT659A  📄📄 

Маркировка: КТ659А

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KT659A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT659A даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: KT645B, KT646A, KT646B, KT647A-2, KT648A-2, KT657A-2, KT657B-2, KT657V-2, SS8050, KT660A, KT660B, KT661A, KT662A, KT664A9, KT664B9, KT665A9, KT665B9