Справочник транзисторов. 2N4099

 

Биполярный транзистор 2N4099 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N4099
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: TO70
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N4099 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:129K  rca
 2n409.pdf pdf_icon

2N4099

 9.2. Size:42K  microsemi
 mx2n4091 mx2n4092 mx2n4093.pdf pdf_icon

2N4099

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com N-CHANNEL J-FET Equivalent To MIL-PRF-19500/431 DEVICES LEVELS 2N4091 MQ = JAN Equivalent 2N4092 MX = JANTX Equivalent 2N4093 MV = JANTXV EquivalentABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25C unless otherwise noted) Parameters / Test C

 9.3. Size:50K  microsemi
 2n4091 2n4092 2n4093.pdf pdf_icon

2N4099

TECHNICAL DATA N-CHANNEL J-FET Qualified per MIL-PRF-19500/431 Devices Qualified Level JANTX 2N4091 2N4092 2N4093 JANTXV ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = +250C unless otherwise noted) A Parameters / Test Conditions Symbol Value Units Gate-Source Voltage V -40 V GSDrain-Source Voltage V 40 V DSDrain-Gate Voltage VDG 40 V Gate Current I 10 mAdc G(1)Power Dissipa

Другие транзисторы... 2N4078 , 2N408 , 2N4080 , 2N4081 , 2N4086 , 2N4087 , 2N4087A , 2N409 , 2SC2073 , 2N41 , 2N410 , 2N4100 , 2N4104 , 2N4105 , 2N4106 , 2N4106A , 2N411 .

History: JE9143 | 2N517 | 2SB736AR | 40547 | 2N3927 | BCW31LT3 | KT644A

 

 
Back to Top

 


 
.