2N4099 - описание и поиск аналогов

 

2N4099. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N4099

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: TO70

 Аналоги (замена) для 2N4099

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N4099 даташит

 9.1. Size:129K  rca
 2n409.pdf pdf_icon

2N4099

 9.2. Size:42K  microsemi
 mx2n4091 mx2n4092 mx2n4093.pdf pdf_icon

2N4099

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Website http //www.microsemi.com N-CHANNEL J-FET Equivalent To MIL-PRF-19500/431 DEVICES LEVELS 2N4091 MQ = JAN Equivalent 2N4092 MX = JANTX Equivalent 2N4093 MV = JANTXV Equivalent ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25 C unless otherwise noted) Parameters / Test C

 9.3. Size:50K  microsemi
 2n4091 2n4092 2n4093.pdf pdf_icon

2N4099

TECHNICAL DATA N-CHANNEL J-FET Qualified per MIL-PRF-19500/431 Devices Qualified Level JANTX 2N4091 2N4092 2N4093 JANTXV ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = +250C unless otherwise noted) A Parameters / Test Conditions Symbol Value Units Gate-Source Voltage V -40 V GS Drain-Source Voltage V 40 V DS Drain-Gate Voltage VDG 40 V Gate Current I 10 mAdc G (1) Power Dissipa

Другие транзисторы... 2N4078 , 2N408 , 2N4080 , 2N4081 , 2N4086 , 2N4087 , 2N4087A , 2N409 , D882 , 2N41 , 2N410 , 2N4100 , 2N4104 , 2N4105 , 2N4106 , 2N4106A , 2N411 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.