KT8157B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KT8157B

Маркировка: КТ8157Б

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

 Аналоги (замена) для KT8157B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT8157B даташит

 9.1. Size:696K  russia
 kt815a-b-v-g.pdf pdf_icon

KT8157B

 9.2. Size:211K  inchange semiconductor
 kt815a.pdf pdf_icon

KT8157B

isc Silicon NPN Power Transistor KT815A DESCRIPTION High Collector Current-I = 1.5A C High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 40V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

Другие транзисторы: KT8150A-2, KT8154A, KT8154B, KT8155A, KT8155B, KT8156A, KT8156B, KT8157A, TIP120, KT8158A, KT8158B, KT8158V, KT8159A, KT8159B, KT8159V, KT815A, KT815B