KT815G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KT815G

Маркировка: КТ815Г

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

 Аналоги (замена) для KT815G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT815G даташит

 9.1. Size:696K  russia
 kt815a-b-v-g.pdf pdf_icon

KT815G

 9.2. Size:211K  inchange semiconductor
 kt815a.pdf pdf_icon

KT815G

isc Silicon NPN Power Transistor KT815A DESCRIPTION High Collector Current-I = 1.5A C High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 40V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

Другие транзисторы: KT8158A, KT8158B, KT8158V, KT8159A, KT8159B, KT8159V, KT815A, KT815B, TIP41C, KT815V, KT8164A, KT8164B, KT816A, KT816A-2, KT816B, KT816G, KT816V