KT8175B-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KT8175B-1

Маркировка: КТ8175Б-1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

 Аналоги (замена) для KT8175B-1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT8175B-1 даташит

 9.1. Size:699K  russia
 kt817a-b-v-g.pdf pdf_icon

KT8175B-1

Другие транзисторы: KT816A-2, KT816B, KT816G, KT816V, 2SB647-D, KT8175A, KT8175A-1, KT8175B, S8050, KT8176A, KT8176B, KT8176V, KT8177A, KT8177B, KT8177V, KT817A, KT817B