KT8176V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KT8176V

Маркировка: КТ8176В

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

 Аналоги (замена) для KT8176V

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT8176V даташит

 9.1. Size:699K  russia
 kt817a-b-v-g.pdf pdf_icon

KT8176V

Другие транзисторы: KT816V, 2SB647-D, KT8175A, KT8175A-1, KT8175B, KT8175B-1, KT8176A, KT8176B, A1015, KT8177A, KT8177B, KT8177V, KT817A, KT817B, KT817B2, KT817G, KT817G2