KT817G2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KT817G2

Маркировка: КТ817Г2

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

 Аналоги (замена) для KT817G2

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT817G2 даташит

 9.1. Size:699K  russia
 kt817a-b-v-g.pdf pdf_icon

KT817G2

Другие транзисторы: KT8176V, KT8177A, KT8177B, KT8177V, KT817A, KT817B, KT817B2, KT817G, 2N3906, KT817V, KT8181A, KT8181B, KT8182A, KT8182B, KT8183A, KT8183A-1, KT8183A-2