KT819GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KT819GM

Маркировка: КТ819ГМ

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

 Аналоги (замена) для KT819GM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT819GM даташит

 9.1. Size:1253K  russia
 kt819a-b-v-g-am-bm-vm-gm 2t819a-b-v.pdf pdf_icon

KT819GM

Другие транзисторы: KT819A, KT819A-1, KT819AM, KT819B, KT819B-1, KT819BM, KT819G, KT819G-1, TIP42, KT819V, KT819V-1, KT819VM, KT825D, KT825E, KT825G, KT826A, KT826B