KT835B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KT835B

Маркировка: КТ835Б

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

 Аналоги (замена) для KT835B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT835B даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: KT830, KT830A, KT830G, KT830V, KT834A, KT834B, KT834V, KT835A, 431, KT837A, KT837B, KT837C, KT837D, KT837E, KT837F, KT837G, KT837H