Биполярный транзистор KT835B Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: KT835B
   Маркировка: КТ835Б
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам