KT837V datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KT837V 📄📄
Маркировка: КТ837В
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KT837V
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KT837V даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: KT837J, KT837K, KT837L, KT837M, KT837N, KT837P, KT837T, KT837U, 2N2222, KT838A, KT838B, KT839A, KT840A, KT840B, KT840V, KT841A, KT841B
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219
