KT856B-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KT856B-1

Маркировка: КТ856Б-1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

 Аналоги (замена) для KT856B-1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT856B-1 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: KT854A, KT854B, KT855A, KT855B, KT855V, KT856A, KT856A-1, KT856B, TIP127, KT857A, KT858A, KT859A, KT863A, KT864A, KT865A, KT868A, KT868B