Биполярный транзистор KT856B-1 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: KT856B-1
   Маркировка: КТ856Б-1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам