KTB989. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTB989

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для KTB989

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTB989 даташит

 9.1. Size:88K  kec
 ktb985.pdf pdf_icon

KTB989

SEMICONDUCTOR KTB985 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR VOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENT B D FEATURES Adoption of MBIT processes. DIM MILLIMETERS P Low collector-to-emitter saturation voltage. DEPTH 0.2 A 7.20 MAX Fast switching speed. B 5.20 MAX C C 0.60 MAX S Large current capacity and wide ASO. D 2.50 MAX Q E 1.15 MAX K

Другие транзисторы: KTB1423, KTB1424, KTB2955, KTB595, KTB688, KTB778, KTB817, KTB988, BC548, KTC1001, KTC1003, KTC1006, KTC1008, KTC1020, KTC1026, KTC1027, KTC1170