Справочник транзисторов. KTC8550

 

Биполярный транзистор KTC8550 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KTC8550
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для KTC8550

 

 

KTC8550 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:360K  kec
ktc8550.pdf

KTC8550
KTC8550

SEMICONDUCTOR KTC8550TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. B CFEATUREComplementary to KTC8050.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25) GC 3.70 MAXDD 0.45CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 1.00F 1.27VCBO -35 VCollector-Base VoltageG 0.85H 0.45VCEO -30 VCollector-Emitter Voltage_HJ 14.0

 0.1. Size:360K  kec
ktc8550a.pdf

KTC8550
KTC8550

SEMICONDUCTOR KTC8550ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. B CFEATUREComplementary to KTC8050A.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25) GC 3.70 MAXDD 0.45CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 1.00F 1.27VCBOCollector-Base Voltage -35 VG 0.85H 0.45VCEOCollector-Emitter Voltage -30 V_HJ 14

 0.2. Size:352K  kec
ktc8550s.pdf

KTC8550
KTC8550

SEMICONDUCTOR KTC8550STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. FEATUREEL B LComplementary to KTC8050S.DIM MILLIMETERS_+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.201MAXIMUM RATING (Ta=25) G 1.90H 0.95J 0.13+0.10/-0.05CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITK 0.00 ~ 0.10QL 0.55VCBO -35 VC

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top