Справочник транзисторов. KTD1003B

 

Биполярный транзистор KTD1003B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KTD1003B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1200
   Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для KTD1003B

 

 

KTD1003B Datasheet (PDF)

 7.1. Size:398K  kec
ktd1003.pdf

KTD1003B
KTD1003B

SEMICONDUCTOR KTD1003TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. A CFEATURESGH High DC Current GainLM: hFE=800 3200. (VCE=5.0V, IC=300mA). Wide Area of Safe Operation.N Low Collector Saturation VoltageD D: VCE(sat)=0.17V (IC=500mA, IB=5.0mA).KDIM MILLIMETERSF FA 4.70 MAX_+B 2.50 0.20C 1.70 MAXD 0.45+0.15/-0.101

 9.1. Size:72K  kec
ktd1047.pdf

KTD1003B
KTD1003B

SEMICONDUCTOR KTD1047TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.A Q BKFEATURES Complementary to KTB817. Recommended for 60W Audio Frequency DIM MILLIMETERSAmplifier Output Stage.A 15.9 MAXB 4.8 MAX_C 20.0 + 0.3_D 2.0 + 0.3Dd 1.0+0.3/-0.25E 2.0F 1.0MAXIMUM RATING (Ta=25 )G 3.3 MAXdH 9.0CHARACTERISTIC SYMBOL RATIN

 9.2. Size:365K  kec
ktd1047b.pdf

KTD1003B
KTD1003B

SEMICONDUCTOR KTD1047BTECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. AFEATURES Q BNO KComplementary to KTB817B.DIM MILLIMETERSRecommended for 60W Audio Frequency _A +15.60 0.20_B4.80 + 0.20Amplifier Output Stage._C 19.90 + 0.20_D 2.00 0.20+_d +1.00 0.20_E +3.00 0.20_F 3.80 + 0.20_G 3.50 + 0.20D _

 9.3. Size:307K  kec
ktd1028.pdf

KTD1003B
KTD1003B

SEMICONDUCTOR KTD1028TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. FEATURESHigh DC Current Gain: hFE=800 3200 (VCE=5.0V, IC=300mA).Wide Area of Safe Operation. Low Collector Saturation Voltage. : VCE(sat)=0.17V (IC=500mA, IB=5.0mA).MAXIMUM RATING (Ta=25 )CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITVCBOCollector-Base Voltage 60 VVCEOCollector-Emitter Vo

Другие транзисторы... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , A1941 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .

 

 
Back to Top