Биполярный транзистор KTD1146 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KTD1146
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TO92
KTD1146 Datasheet (PDF)
ktd1146.pdf
SEMICONDUCTOR KTD1146TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATIONCAMERA STROBO (For Electronic Flash Unit)B CFEATURES Low VCE(SAT). High Performance at Low Supply Voltage. N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00MAXIMUM RATING (Ta=25 )F 1.27G 0.85CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITH 0.45_HJ 14.00 +
ktd1145.pdf
SEMICONDUCTOR KTD1145TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORRELAY DRIVE, HAMMER DIRVE, LAMP DRIVE.STROBO, DC-DC CONVERTER, MOTOR DRIVE.B DFEATURES Low Saturation Voltage.DIM MILLIMETERSP: VCE(sat)=0.5V(Max.) (IC=3A, IB=60mA).DEPTH:0.2A 7.20 MAX High Collector Current. B 5.20 MAXCC 0.60 MAXS: IC=5A, ICP(Peak Current )=8A.D 2.50 MAXQE 1.15 MAXK Wid
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050