KTD1146. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KTD1146
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для KTD1146
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTD1146 даташит
ktd1146.pdf
SEMICONDUCTOR KTD1146 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT APPLICATION CAMERA STROBO (For Electronic Flash Unit) B C FEATURES Low VCE(SAT). High Performance at Low Supply Voltage. N DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) F 1.27 G 0.85 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT H 0.45 _ H J 14.00 +
ktd1145.pdf
SEMICONDUCTOR KTD1145 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR RELAY DRIVE, HAMMER DIRVE, LAMP DRIVE. STROBO, DC-DC CONVERTER, MOTOR DRIVE. B D FEATURES Low Saturation Voltage. DIM MILLIMETERS P VCE(sat)=0.5V(Max.) (IC=3A, IB=60mA). DEPTH 0.2 A 7.20 MAX High Collector Current. B 5.20 MAX C C 0.60 MAX S IC=5A, ICP(Peak Current )=8A. D 2.50 MAX Q E 1.15 MAX K Wid
Другие транзисторы: KTC9016, KTC9018, KTD1003A, KTD1003B, KTD1003C, KTD1028, KTD1047, KTD1145, S8050, KTD1302, KTD1303, KTD1304, KTD1351, KTD1352, KTD1413, KTD1414, KTD1415
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364


