MD6002F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MD6002F  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MD6002F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MD6002F даташит

 0.1. Size:59K  crystaloncs
 md6002fhxv md6002hx mhq6002hx mq6002hxv.pdf pdf_icon

MD6002F

 9.1. Size:197K  onsemi
 nimd6001n nimd6001an.pdf pdf_icon

MD6002F

NIMD6001N, NIMD6001AN Dual N-Channel Driver with Diagnostic Output 60 V, 3 A, 110 mW NIMD6001N/AN is a dual 3 Amp low-side switch with an integrated common disable input and drain diagnostic output. Pulling http //onsemi.com the Disable pin low will override any applied gate voltages and turn off both FET switches. Should either Drain-Source voltage exceed 3.0 AMPERES approximately 50

 9.2. Size:206K  onsemi
 nimd6001n.pdf pdf_icon

MD6002F

NIMD6001N, NIMD6001AN Dual N-Channel Driver with Diagnostic Output 60 V, 3 A, 110 mW NIMD6001N/AN is a dual 3 Amp low-side switch with an integrated common disable input and drain diagnostic output. Pulling http //onsemi.com the Disable pin low will override any applied gate voltages and turn off both FET switches. Should either Drain-Source voltage exceed 3.0 AMPERES approximately 50

 9.3. Size:1830K  willsemi
 wnmd6003.pdf pdf_icon

MD6002F

WNMD6003 WNMD6003 Dual N-Channel, 60V, 0.30A, Power MOSFET Http// www.sh-willsemi.com VDS (V) Rds(on) ( ) 1.4@ VGS=10V 60 1.7@ VGS=4.5V ESD Rating 2000V HBM SOT-563 Descriptions The WNMD6003 is Dual N-Channel enhancem -ent MOS Field Effect Transistor. Uses advanced D1 G2 S2 trench technology and design to provide excellent 6 5 4 RDS (ON) with low gate charge. This d

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MD3762F, MD4260, MD4261, MD4957, MD5000, MD6001, MD6001F, MD6002, 2SC2073, MD6003, MD6003F, MD6100, MD6100F, MD6900, MD696, MD696A, MD698