MDS26 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MDS26 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO126
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для MDS26
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MDS26 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: MD985, MD985F, MD986, MD986F, MD990, MDS1678, MDS20, MDS21, BC556, MDS27, MDS60, MDS76, MDS77, ME0401, ME0402, ME0404, ME0404-1
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor
