MDS60 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MDS60 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25
Корпус транзистора: TO126
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для MDS60
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MDS60 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: MD986, MD986F, MD990, MDS1678, MDS20, MDS21, MDS26, MDS27, 2SD669, MDS76, MDS77, ME0401, ME0402, ME0404, ME0404-1, ME0404-2, ME0411
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: PBSS305PZ | TSB3055
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243
