ME1002 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ME1002  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO106

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для ME1002

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ME1002 даташит

 9.1. Size:1112K  matsuki electric
 me100n03t me100n03t-g.pdf pdf_icon

ME1002

ME100N03T /ME100N03T-G N- Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME100N03T-G is the N-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 3m @VGS=10V power field effect transistors are produced using high cell density, Super high density cell design for extremely low RDS(ON) DMOS trench technology. This high density process is especially Exceptional on-resistance

Другие транзисторы: ME0475, ME0491, ME0492, ME0493, ME0801, ME0802, ME0803, ME1001, BD139, ME1075, ME1100, ME1120, ME2001, ME2002, ME3001, ME3002, ME3011