ME1075 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: ME1075 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 75 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO106
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для ME1075
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
ME1075 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: ME0491, ME0492, ME0493, ME0801, ME0802, ME0803, ME1001, ME1002, 2N3904, ME1100, ME1120, ME2001, ME2002, ME3001, ME3002, ME3011, ME4001
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: BR3DD13007HV7R | AM1214-200 | ME0803 | 3N109 | PBSS302ND | PBSS301PZ
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent
