Справочник транзисторов. MG100G1FL1

 

Биполярный транзистор MG100G1FL1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MG100G1FL1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 600 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1000 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: X99
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MG100G1FL1 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:114K  toshiba
mg100q2ys40.pdfpdf_icon

MG100G1FL1

 9.2. Size:249K  toshiba
mg100q2ys42.pdfpdf_icon

MG100G1FL1

 9.3. Size:137K  toshiba
mg100q2ys51.pdfpdf_icon

MG100G1FL1

 9.4. Size:137K  toshiba
mg100q2ys50.pdfpdf_icon

MG100G1FL1

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: CMLT591E | ECH8503-TL-H | BF321 | MPS2484 | ZTX614 | BD120 | 2SC889

 

 
Back to Top

 


 
.