MG100G1FL1 - описание и поиск аналогов

 

MG100G1FL1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MG100G1FL1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 600 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1000 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: X99

 Аналоги (замена) для MG100G1FL1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MG100G1FL1 даташит

 9.1. Size:114K  toshiba
mg100q2ys40.pdfpdf_icon

MG100G1FL1

 9.2. Size:249K  toshiba
mg100q2ys42.pdfpdf_icon

MG100G1FL1

 9.3. Size:137K  toshiba
mg100q2ys51.pdfpdf_icon

MG100G1FL1

 9.4. Size:137K  toshiba
mg100q2ys50.pdfpdf_icon

MG100G1FL1

Другие транзисторы: ME9003, ME9021, ME9022, MF1161, MF1162, MF1163, MF1164, MF3304, 2SA1837, MG100H1AL2, MG100H2DL1, MG15G1AL3, MG15G6EL1, MG200H1AL1, MG30G1BL2, MG30G2CL3, MG50G1BL2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.