Справочник транзисторов. MG100G1FL1

 

Биполярный транзистор MG100G1FL1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MG100G1FL1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 600 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1000 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: X99
 

 Аналог (замена) для MG100G1FL1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MG100G1FL1 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:114K  toshiba
mg100q2ys40.pdfpdf_icon

MG100G1FL1

 9.2. Size:249K  toshiba
mg100q2ys42.pdfpdf_icon

MG100G1FL1

 9.3. Size:137K  toshiba
mg100q2ys51.pdfpdf_icon

MG100G1FL1

 9.4. Size:137K  toshiba
mg100q2ys50.pdfpdf_icon

MG100G1FL1

Другие транзисторы... ME9003 , ME9021 , ME9022 , MF1161 , MF1162 , MF1163 , MF1164 , MF3304 , BC546 , MG100H1AL2 , MG100H2DL1 , MG15G1AL3 , MG15G6EL1 , MG200H1AL1 , MG30G1BL2 , MG30G2CL3 , MG50G1BL2 .

History: NSS20201MR6 | DTC123 | BU2532AL | FMMT3645 | BFY67A | CTP1108 | NSVF4017SG4

 

 
Back to Top

 


 
.