Справочник транзисторов. MJ10202

 

Биполярный транзистор MJ10202 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJ10202
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 500 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4000 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
   Корпус транзистора: SPECIAL
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MJ10202 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:328K  fairchild semi
 fdmj1023pz.pdf pdf_icon

MJ10202

August 2007FDMJ1023PZtmDual P-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 2.9A, 112mFeatures General Description Max rDS(on) = 112m at VGS = 4.5V, ID = 2.9AThis dual P-Channel MOSFET uses Fairchilds advanced low voltage PowerTrench process. This device is designed Max rDS(on) = 160m at VGS = 2.5V, ID = 2.4Aspecifically as a single package solution for

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: RN4962FE | 41501 | RN2711 | MPS2924 | NSVMUN5331DW1T1G | MRF342

 

 
Back to Top

 


 
.