MJ1200 - описание и поиск аналогов

 

MJ1200. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJ1200

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: SPECIAL

 Аналоги (замена) для MJ1200

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ1200 даташит

 0.1. Size:208K  inchange semiconductor
 mj12004.pdf pdf_icon

MJ1200

isc Silicon NPN Power Transistor MJ12004 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 750V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in large screen color deflection circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETE

 0.2. Size:205K  inchange semiconductor
 mj12003.pdf pdf_icon

MJ1200

isc Silicon NPN Power Transistor MJ12003 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 750V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in CRT deflection circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

 0.3. Size:204K  inchange semiconductor
 mj12002.pdf pdf_icon

MJ1200

isc Silicon NPN Power Transistor MJ12002 DESCRIPTION High Switching Speed Wide Area of Safe Operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in large screen color deflection circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector- Base Voltage 1500

 0.4. Size:205K  inchange semiconductor
 mj12005.pdf pdf_icon

MJ1200

isc Silicon NPN Power Transistor MJ12005 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 750V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in CRT deflection circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJ11021, MJ11022, MJ11028, MJ11029, MJ11030, MJ11031, MJ11032, MJ11033, A1013, MJ12002, MJ12003, MJ12004, MJ12005, MJ1201, MJ12010, MJ12020, MJ12021

 

 

 

 

↑ Back to Top
.