MJ13330 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJ13330  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJ13330

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ13330 даташит

 ..1. Size:207K  inchange semiconductor
 mj13330.pdf pdf_icon

MJ13330

isc Silicon NPN Power Transistor MJ13330 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 200V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage ,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are partic- ularly suited for line

 8.1. Size:278K  motorola
 mj13333r.pdf pdf_icon

MJ13330

Order this document MOTOROLA by MJ13333/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA MJ13333 Designer's Data Sheet SWITCHMODE Series 20 AMPERE NPN Silicon Power Transistor NPN SILICON POWER TRANSISTORS The MJ13333 transistor is designed for high voltage, high speed, power switching 400 500 VOLTS in inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited for line operated

 8.2. Size:210K  inchange semiconductor
 mj13335.pdf pdf_icon

MJ13330

isc Silicon NPN Power Transistor MJ13335 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 500V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators Inverters Solenoid and relay drivers Motor controls Deflection circuits ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY

 8.3. Size:207K  inchange semiconductor
 mj13332.pdf pdf_icon

MJ13330

isc Silicon NPN Power Transistor MJ13332 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 350V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage ,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are partic- ularly suited for line

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJ13070, MJ13071, MJ13080, MJ13081, MJ13090, MJ13091, MJ13100, MJ13101, 2SC2383, MJ13331, MJ13332, MJ13333, MJ13334, MJ13335, MJ14000, MJ14001, MJ14002