MJ16008 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJ16008  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 350 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJ16008

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ16008 даташит

 ..1. Size:207K  inchange semiconductor
 mj16008.pdf pdf_icon

MJ16008

isc Silicon NPN Power Transistor MJ16008 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage ,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are partic- ularly suited for lin

 8.1. Size:206K  inchange semiconductor
 mj16006.pdf pdf_icon

MJ16008

isc Silicon NPN Power Transistor MJ16006 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage ,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are partic- ularly suited for lin

 8.2. Size:207K  inchange semiconductor
 mj16004.pdf pdf_icon

MJ16008

isc Silicon NPN Power Transistor MJ16004 DESCRIPTION Fast turn-off times Operating temperature range -65 200 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators Inverters Solenoid and relay drivers Motor controls Deflection circuits ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB

 8.3. Size:261K  inchange semiconductor
 mj16002a.pdf pdf_icon

MJ16008

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor MJ16002A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 500V(Min) High Switching Speed APPLICATIONS Designed for high-voltage ,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are partic- ularly suited for line-operated switchmode applica

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJ15026, MJ15027, MJ150BK100, MJ16002, MJ16002A, MJ16004, MJ16006, MJ16006A, S8050, MJ16010, MJ16010A, MJ16012, MJ16014, MJ16016, MJ16018, MJ16020, MJ16022