Биполярный транзистор MJ200AA55 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: MJ200AA55
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 800 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1000 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: X99
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам