MJ200AA55 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJ200AA55  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 800 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1000 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: X99

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJ200AA55

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ200AA55 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: MJ16012, MJ16014, MJ16016, MJ16018, MJ16020, MJ16022, MJ16110, MJ1800, 2N3906, MJ21193, MJ21194, MJ2249, MJ2250, MJ2251, MJ2252, MJ2253, MJ2254