Справочник транзисторов. MJ2955SM

 

Биполярный транзистор MJ2955SM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJ2955SM
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 115 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO252
 

 Аналог (замена) для MJ2955SM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ2955SM Datasheet (PDF)

 8.1. Size:235K  motorola
2n3055a mj2955a mj15015 mj15016.pdfpdf_icon

MJ2955SM

Order this documentMOTOROLAby 2N3055A/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNComplementary Silicon2N3055AHigh-Power Transistors*MJ15015. . . PowerBase complementary transistors designed for high power audio, steppingmotor and other linear applications. These devices can also be used in powerswitching circuits such as relay or solenoid drivers, dctodc converters, inverters

 8.2. Size:130K  motorola
mj2955-2n3055.pdfpdf_icon

MJ2955SM

Order this documentMOTOROLAby 2N3055/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPN2N3055 *Complementary Silicon Power PNPMJ2955*Transistors. . . designed for generalpurpose switching and amplifier applications.*Motorola Preferred Device DC Current Gain hFE = 2070 @ IC = 4 Adc CollectorEmitter Saturation Voltage 15 AMPEREVCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc P

 8.3. Size:179K  motorola
2n3055 mj2955.pdfpdf_icon

MJ2955SM

Order this documentMOTOROLAby 2N3055/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPN2N3055 *Complementary Silicon Power PNPMJ2955*Transistors. . . designed for generalpurpose switching and amplifier applications.*Motorola Preferred Device DC Current Gain hFE = 2070 @ IC = 4 Adc CollectorEmitter Saturation Voltage 15 AMPEREVCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc P

 8.4. Size:90K  st
2n3055 mj2955 2.pdfpdf_icon

MJ2955SM

2N3055MJ2955Complementary power transistorsFeatures Low collector-emitter saturation voltage Complementary NPN - PNP transistorsApplications General purpose Audio Amplifier12DescriptionTO-3The devices are manufactured in epitaxial-base planar technology and are suitable for audio, power linear and switching applications.Figure 1. Internal schematic d

Другие транзисторы... MJ2841 , MJ2855 , MJ2865 , MJ2901 , MJ2940 , MJ2941 , MJ2955 , MJ2955A , TIP42 , MJ3000 , MJ3001 , MJ3010 , MJ3011 , MJ3026 , MJ3027 , MJ3028 , MJ3029 .

History: CV7065 | BFQ235 | BCM847DS

 

 
Back to Top

 


 
.