MJ411. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJ411

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для MJ411

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ411 даташит

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 mj411.pdf pdf_icon

MJ411

isc Silicon NPN Power Transistor MJ411 DESCRIPTION High Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 300V(Min.) CEO(SUS) Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 0.8 V(Max)@ I = 1A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for medium to high voltage inverters, converters, regulators and switching circ

Другие транзисторы: MJ4030, MJ4031, MJ4032, MJ4033, MJ4034, MJ4035, MJ410, MJ4101, 2N3904, MJ413, MJ420, MJ4200, MJ4201, MJ420S, MJ421, MJ4210, MJ4211