Биполярный транзистор 2N4279 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N4279
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 110 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.24 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TO3
2N4279 Datasheet (PDF)
9.1. Size:170K inchange semiconductor
2n4273.pdf
2n4273.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2N4273DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for switching regulator applications where highfrequency and high voltage swings and requiredABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
Другие транзисторы... 2N4272 , 2N4272A , 2N4273 , 2N4274 , 2N4275 , 2N4276 , 2N4277 , 2N4278 , 2SC1815 , 2N428 , 2N4280 , 2N4281 , 2N4282 , 2N4283 , 2N4284 , 2N4285 , 2N4286 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050